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Artigo de periodico
Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications (2023)
Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742
NLM
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
Vancouver
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
Trabalho de evento
Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs (2023)
Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MICROELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
ARAÚJO, Gustavo Vinicius de e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
NLM
Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
Vancouver
Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
Artigo de periodico
A novel analytical equivalent circuit for single-sided linear induction motors considering secondary leakage reactance (2023)
Gomes, Daniel Ribeiro; Chabu, Ivan Eduardo
Source: Energies. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS, MOTORES DE INDUÇÃO
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ABNT
GOMES, Daniel Ribeiro e CHABU, Ivan Eduardo. A novel analytical equivalent circuit for single-sided linear induction motors considering secondary leakage reactance. Energies, v. 16, n. 3, p. 1-16, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/en16031261. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Gomes, D. R., & Chabu, I. E. (2023). A novel analytical equivalent circuit for single-sided linear induction motors considering secondary leakage reactance. Energies, 16( 3), 1-16. doi:10.3390/en16031261
NLM
Gomes DR, Chabu IE. A novel analytical equivalent circuit for single-sided linear induction motors considering secondary leakage reactance [Internet]. Energies. 2023 ; 16( 3): 1-16.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.3390/en16031261
Vancouver
Gomes DR, Chabu IE. A novel analytical equivalent circuit for single-sided linear induction motors considering secondary leakage reactance [Internet]. Energies. 2023 ; 16( 3): 1-16.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.3390/en16031261
Artigo de periodico
Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications (2023)
Silva, V C P; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, CIRCUITOS DIGITAIS
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ABNT
SILVA, V C P et al. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-5, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Silva, V. C. P., Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2023). Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2023.108729
NLM
Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729
Vancouver
Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729
Artigo de periodico
Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies (2023)
Toledo, Rodrigo do Nascimento; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS, TRANSISTORES
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ABNT
TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 9, p. 1-12, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, 38( 9), 1-12. doi:10.1088/1361-6641/aceb84
NLM
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84
Vancouver
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84
Artigo de periodico
Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis (2023)
Silva, Wenita de Lima; Toledo, Rodrigo do Nascimento; Gonçalez Filho, Walter; Nogueira, Alexandro de Moraes; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
SILVA, Wenita de Lima et al. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, v. 202, p. 1-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Silva, W. de L., Toledo, R. do N., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, 202, 1-8. doi:10.1016/j.sse.2023.108611
NLM
Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611
Vancouver
Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611
Dissertação (Mestrado)
Amplificador operacional de transcondutância projetado com TFET de porta tripla operando em diferentes temperaturas (2023)
Camargo, Raphael Gil; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: AMPLIFICADORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMARGO, Raphael Gil. Amplificador operacional de transcondutância projetado com TFET de porta tripla operando em diferentes temperaturas. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-084843/. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Camargo, R. G. (2023). Amplificador operacional de transcondutância projetado com TFET de porta tripla operando em diferentes temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-084843/
NLM
Camargo RG. Amplificador operacional de transcondutância projetado com TFET de porta tripla operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2023 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-084843/
Vancouver
Camargo RG. Amplificador operacional de transcondutância projetado com TFET de porta tripla operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2023 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-084843/
Artigo de periodico
Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications (2023)
Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742
NLM
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
Vancouver
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
Artigo de periodico
Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data (2023)
Toledo, Rodrigo do Nascimento; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-6. doi:10.29292/jics.v18il.653
NLM
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ;18( 1): 1-6.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653
Vancouver
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ;18( 1): 1-6.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653
Trabalho de evento
Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator (2022)
Toledo, Rodrigo do Nascimento; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, NANOELETRÔNICA, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035
NLM
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035
Vancouver
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035
Trabalho de evento
Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator (2022)
Silva, Wenita de Lima; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: SBMICRO: proceedings. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTABILIDADE, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Wenita de Lima e AGOPIAN, Paula Ghedini Der e MARTINO, João Antonio. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator. 2022, Anais.. [s.L.]: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Silva, W. de L., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2022). Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator. In SBMICRO: proceedings. [s.L.]: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041
NLM
Silva W de L, Agopian PGD, Martino JA. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO: proceedings. 2022 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041
Vancouver
Silva W de L, Agopian PGD, Martino JA. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO: proceedings. 2022 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041
Artigo de periodico
Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C (2022)
Sousa, Julia Cristina Soares; Perina, Welder F; Rangel, Roberto; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUSA, Julia Cristina Soares et al. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, v. 189, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Sousa, J. C. S., Perina, W. F., Rangel, R., Simoen, E., Veloso, A., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, 189, 1-9. doi:10.1016/j.sse.2022.108238
NLM
Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238
Vancouver
Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238
Trabalho de evento
Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET (2022)
Carvalho, Henrique Lanfredi; Rangel, Ricardo Cardoso; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio
Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, ALUMÍNIO, NANOELETRÔNICA, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARVALHO, Henrique Lanfredi et al. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Carvalho, H. L., Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., Agopian, P. G. D., Yojo, L. S., & Martino, J. A. (2022). Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960
NLM
Carvalho HL, Rangel RC, Sasaki KRA, Agopian PGD, Yojo LS, Martino JA. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960
Vancouver
Carvalho HL, Rangel RC, Sasaki KRA, Agopian PGD, Yojo LS, Martino JA. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960
Dissertação (Mestrado)
Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. (2021)
Sousa, Bruna Ramos de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUSA, Bruna Ramos de. Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. 2021. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Sousa, B. R. de. (2021). Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/
NLM
Sousa BR de. Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/
Vancouver
Sousa BR de. Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/
Tese (Doutorado)
Digital signal processing techniques for the compensation of analog circuit impairments in impedance mismatched radio-frequency transmitters. (2021)
Hemsi, Cyro Scarano; Panazio, Cristiano Magalhães (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: AMPLIFICADORES, PROCESSAMENTO DIGITAL DE SINAIS, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HEMSI, Cyro Scarano. Digital signal processing techniques for the compensation of analog circuit impairments in impedance mismatched radio-frequency transmitters. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-23092021-112819/. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Hemsi, C. S. (2021). Digital signal processing techniques for the compensation of analog circuit impairments in impedance mismatched radio-frequency transmitters. (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-23092021-112819/
NLM
Hemsi CS. Digital signal processing techniques for the compensation of analog circuit impairments in impedance mismatched radio-frequency transmitters. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-23092021-112819/
Vancouver
Hemsi CS. Digital signal processing techniques for the compensation of analog circuit impairments in impedance mismatched radio-frequency transmitters. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-23092021-112819/
Artigo de periodico
Fractional integrator circuit unit using Charef approximation method (2020)
Zourmba, K.; Fischer, Clovis; Gambo, B.; Effa, J. Y.; Mohamadou, A.
Source: International Journal of Dynamics and Control. Unidade: FZEA
Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS, CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
ZOURMBA, K. et al. Fractional integrator circuit unit using Charef approximation method. International Journal of Dynamics and Control, p. 1-9, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s40435-020-00621-2. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Zourmba, K., Fischer, C., Gambo, B., Effa, J. Y., & Mohamadou, A. (2020). Fractional integrator circuit unit using Charef approximation method. International Journal of Dynamics and Control, 1-9. doi:10.1007/s40435-020-00621-2
NLM
Zourmba K, Fischer C, Gambo B, Effa JY, Mohamadou A. Fractional integrator circuit unit using Charef approximation method [Internet]. International Journal of Dynamics and Control. 2020 ; 1-9.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s40435-020-00621-2
Vancouver
Zourmba K, Fischer C, Gambo B, Effa JY, Mohamadou A. Fractional integrator circuit unit using Charef approximation method [Internet]. International Journal of Dynamics and Control. 2020 ; 1-9.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s40435-020-00621-2
Dissertação (Mestrado)
Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. (2020)
Nogueira, Alexandro de Moraes; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS, AMPLIFICADORES
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ABNT
NOGUEIRA, Alexandro de Moraes. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Nogueira, A. de M. (2020). Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/
NLM
Nogueira A de M. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/
Vancouver
Nogueira A de M. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/
Tese (Doutorado)
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (2017)
Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Martino, M. D. V. (2017). Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
NLM
Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
Vancouver
Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
Dissertação (Mestrado)
Interface de controle e monitoramento para circuitos alimentados em alta tensão variável (2017)
Osinaga Berois, Javier Andres; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ALTA TENSÃO, CIRCUITOS ANALÓGICOS, CIRCUITOS INTEGRADOS VLSI
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OSINAGA BEROIS, Javier Andres. Interface de controle e monitoramento para circuitos alimentados em alta tensão variável. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05092017-090653/. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Osinaga Berois, J. A. (2017). Interface de controle e monitoramento para circuitos alimentados em alta tensão variável (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05092017-090653/
NLM
Osinaga Berois JA. Interface de controle e monitoramento para circuitos alimentados em alta tensão variável [Internet]. 2017 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05092017-090653/
Vancouver
Osinaga Berois JA. Interface de controle e monitoramento para circuitos alimentados em alta tensão variável [Internet]. 2017 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05092017-090653/
Trabalho de evento
Detector de radiação cósmica (2014)
Lima, Daniel Rodrigues de; Maciel, Carlos Dias
Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: EESC
Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS, CIRCUITOS DIGITAIS, RAIOS CÓSMICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Daniel Rodrigues de e MACIEL, Carlos Dias. Detector de radiação cósmica. 2014, Anais.. São Paulo, SP: Pró-Reitoria de Pesquisa/USP, 2014. Disponível em: https://uspdigital.usp.br/siicusp/cdOnlineTrabalhoObter?numeroInscricaoTrabalho=27&numeroEdicao=22&print=S. Acesso em: 17 maio 2024.
APA
Lima, D. R. de, & Maciel, C. D. (2014). Detector de radiação cósmica. In . São Paulo, SP: Pró-Reitoria de Pesquisa/USP. Recuperado de https://uspdigital.usp.br/siicusp/cdOnlineTrabalhoObter?numeroInscricaoTrabalho=27&numeroEdicao=22&print=S
NLM
Lima DR de, Maciel CD. Detector de radiação cósmica [Internet]. 2014 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/cdOnlineTrabalhoObter?numeroInscricaoTrabalho=27&numeroEdicao=22&print=S
Vancouver
Lima DR de, Maciel CD. Detector de radiação cósmica [Internet]. 2014 ;[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/cdOnlineTrabalhoObter?numeroInscricaoTrabalho=27&numeroEdicao=22&print=S

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